실리콘 카바이드는 중~고압 전력 부품에 널리 사용되는 반도체 소재입니다. 그 이유는 넓은 밴드 갭과 높은 열전도율의 고유한 특성 때문입니다.

1. WeEn SiC 파워 다이오드의 전류 범위는 2A~40A이며, 전압 범위는 650V 와 1200V로 다양한 산업표준법에 기반하여 SMD 및 through-hole 파워 패키지로 제공되며 단일 및 이중 SiC 다이오드 모두 가능합니다. 

SiC 다이오드는 매우 빠르고 온도 독립적인 스위칭을 제공하여 비엔나 정류기, PFC Boost Converters 혹은 Full Bridge Inverters와 같은 고속 스위칭 애플리케이션에 높은 전력 밀도와 탁월한 효율성을 지원합니다. 

향상된 효율성과 애플리케이션에서의 저온도가 가능하게 됨으로써 설계시 신뢰성이 높아질 것입니다. 

Special Low Charge (LQ) 버전 또한 가능합니다. 

WeEn SiC 다이오드는 다양한 세대가 있습니다. 650V의 최신 세대는 Gen.6로 전도 손실을 줄이기 위해 VF가 더 낮습니다. 1200V의 최신 세대는 Gen.2입니다.

2. WeEn SiC MOSFET는 곧 출시될 예정입니다. 

최초의 SiC MOSFET은 1200V 이며 160mΩ 및 80mΩ 그리고 아주 낮게는 30mΩ 까지의 다양한 RDson 값을 가지고 있습니다. 

패키지는 TO247-3L, TO247-4L 그리고 다른 인기있는 산업표준 패키지가 될 것입니다. 

RDson 값이 30mΩ 및 60mΩ인 650V SiC MOSFET 도 계획되어 있습니다. 

WeEn SiC MOSEFT는 평상시 꺼져 있는 향상모드 장치로 매우 빠른 스위칭 PFC Boost Converters와 같은 스위치로 아주 탁월한 선택이 될것입니다.